日期:2011-06-01 13:59
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100W，为原来产品的1万倍，是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。
据研究小组介绍，制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法，并开发出了不使用自由基化气体的掺杂(Doping)法。这样有望采用量产性更高的MOCVD(有机金属气相沉积)法。目标用途是用于液晶显示器的背照灯及照明灯的白色LED。
研究小组指出，采用紫外LED的白色LED，与搭配使用蓝色LED与黄色荧光体的InGaN及GaN类白色LED相比，有望提高演色性及色再现性。
另外，该小组还称，制造GaN类LED时很难采