高亮度LED的等离子刻蚀方案
日期:2011-11-29 13:57
状态:待解决
提问:ningcuidi
的方法是使用静电吸盘。可以使用介质硬掩膜,这将可能实现高刻蚀速率批处理,此时整个批次的一致性决定了产量。

  6、光子晶体图形化

  利用称为光子晶体的准晶体阵列图形化HBLED的发光表面可以提高光提取能力。其极端的表现如图3所示,此时600nm蚀象已被刻蚀了4微米深,实现了大于6:1的高深宽比结构。这里的挑战是保持蚀象的垂直剖面,以确保光子晶体的光学性能。

  7、设备

  为了达到高刻蚀速率和低损伤的要求,行业开发了几种高密度等离子源:电感耦合等离子(ICP)、变压器耦合等离子(TCP)、高密度等离子(HDP)。所有
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07/27 00:43