日期:2011-11-29 13:57
状态:待解决
提问:ningcuidi
。
未经优化的刻蚀处理可能导致GaN刻蚀的位错，进而导致麻点表面和接点电阻的增加。同样，PR是这一步掩膜的选择，因为它是最简单的处理方法。据报道由于典型批刻蚀速率高达140nm/分的温度限制，PR的使用可降低所使用的功率。
5、深隔离刻蚀
当需要高达7微米深度时，刻蚀速率是这一工艺的关键。这一步的作用是刻蚀到有源器件之间的底层蓝宝石衬底。由于蓝宝石是不导电的，在物理分离之前就隔离了器件。如果使用PR掩膜，这一刻蚀步骤的主要挑战是散热，因为高刻蚀速率是用高等离子密度实现的。这意味着单晶圆的紧固问题，通
最佳答案:
暂无最佳答案
[全部回答(0)] [我来回答]