日期:2011-11-29 13:57
状态:待解决
提问:ningcuidi
兴趣。这必须是单批次进行大量晶圆刻蚀。20世纪90年代后期，等离子刻蚀批次规模从4*2英寸晶圆增加至今天的55*2英寸或3*8英寸，现在的问题是在其吸引力消失之前它可以处理多大批次。随着晶圆尺寸从2英寸到4英然后是6英寸的向上迁移，这个问题也得到了解决。GaN刻蚀的主要应用领域是浅接点刻蚀和高深宽比结构刻蚀。
4、浅接点刻蚀
当刻蚀进入到接点层时，至关重要的是对半导体造成的等离子损伤最小，否则可能会增加接点电阻。刻蚀工艺需要仔细优化，以最大限度地提高吞吐量，同时保持器件的性能。光滑的表面通常表面高品质的刻蚀
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