日期:2011-11-29 13:57
状态:待解决
提问:ningcuidi
晶圆是可行的方法。大量光阻延膜晶圆的刻蚀要求控制好每个晶圆的温度，这需要了解怎样将来自等离子的热量从试样到冷却电极转移出来。氦气背面冷却是关键，同时要了解怎样使每片晶圆德奥有效冷却，以确保成功。这种技术的批量规模从20*2英寸到高达43*2英寸，刻蚀速率在50nm/分和100nm/分之间，速率取决于PR掩膜和PSS形状要求。
3、GaN刻蚀
GaN的化学稳定性和高键合强度、其熔点2500度和键能也是它具有很高的耐酸或碱刻蚀剂湿刻蚀能力。到目前为止，由于缺乏合适的湿刻蚀工艺，使人们对开发合适HBLED生产的干刻蚀工艺产生了极大的
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