日期:2011-11-29 13:57
状态:待解决
提问:ningcuidi
了对材料进行刻蚀，Cl2、BCl3、Ar的组合常用于以较高等离子源实现的较高刻蚀速率。不过，这增加了试样的热负荷，因此，使用PR作为掩膜可以保持较高的刻蚀速率，为此有必要对晶圆试样进行有效的冷却。
硅产业习惯于将单晶圆紧固在温度控制工作台上，并在工作台和晶圆之间引入了传热介质，通常是氦。氦背面冷却已经成为单晶圆温度控制的标准方法。HBLED制造目前市区批次较小的衬底，传送到输送板上的刻蚀工具。对于图形化蓝宝石衬底刻蚀，HBLED器件仍然主要制造2英寸或者4英寸晶圆，因此可以显着降低成本，它对以一次运行处理尽可能多
最佳答案:
暂无最佳答案
[全部回答(0)] [我来回答]