日期:2011-05-30 14:20
因此前后两方面都造成散热困难。影响了器件的性能和可靠性。
2001年年。Lumileds的公司研制出了A1GaInN功率型倒装芯片布局。图1示出芯片的正装布局和倒装布局对比的LED芯片通过凸点倒装连接到硅基上。这样。大功率LED的孕育发生的热能不必经由芯片的蓝宝石衬底。而是直接传到热导率更高的硅或瓷陶衬底，再传到金属底座，由于其有源发热区更接近于散热体。因此可减低内部热沉热阻[21。这类布局的热阻意见计算最低可达到1。34K系列/ W型。实际已作到68K的/瓦，出光率也提高了60％左右。可是，热阻与热沉的厚度是成正比的。因此受硅