日期:2011-05-27 11:44
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100W，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。
东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示，此项成果明确了追赶GaN类产品的前进道路。
据了解，制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法，并开发出了不使用自由基化气体的掺杂(Doping)法。这样，有望采用量产性更高的MOCVD(有机金属气相沉积)法。目标用途是用于液晶显示器的背照灯及照明灯的白色LED。这是由东北大学的川崎、东北大学金属材料研究所、东北大学多元物质