日期:2011-11-01 13:40
状态:待解决
提问:liyatong
子晶体的准晶体阵列图形化HBLED的发光表面可以提高光提取能力。其极端的表现如图3所示，此时600nm蚀象已被刻蚀了4微米深，实现了大于6:1的高深宽比结构。这里的挑战是保持蚀象的垂直剖面，以确保光子晶体的光学性能。
7、设备
为了达到高刻蚀速率和低损伤的要求，行业开发了几种高密度等离子源：电感耦合等离子（ICP）、变压器耦合等离子（TCP）、高密度等离子（HDP）。所有技术都提供了一个固定试样驱动台，独立等离子源可实现高等离子密度，而不会增加试样的DC偏差。DC偏差已被证明可增加敏感表面的等离子损伤，所以这是一个
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