日期:2011-11-01 13:40
状态:待解决
提问:liyatong
于典型批刻蚀速率高达140nm/分的温度限制，PR的使用可降低所使用的功率。
5、深隔离刻蚀
当需要高达7微米深度时，刻蚀速率是这一工艺的关键。这一步的作用是刻蚀到有源器件之间的底层蓝宝石衬底。由于蓝宝石是不导电的，在物理分离之前就隔离了器件。如果使用PR掩膜，这一刻蚀步骤的主要挑战是散热，因为高刻蚀速率是用高等离子密度实现的。这意味着单晶圆的紧固问题，通常的方法是使用静电吸盘。可以使用介质硬掩膜，这将可能实现高刻蚀速率批处理，此时整个批次的一致性决定了产量。
6、光子晶体图形化
利用称为光
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