专家精讲:制备高亮度LED的等离子刻蚀技术
日期:2011-11-01 13:40
状态:待解决
提问:liyatong
处理多大批次。随着晶圆尺寸从2英寸到4英然后是6英寸的向上迁移,这个问题也得到了解决。GaN刻蚀的主要应用领域是浅接点刻蚀和高深宽比结构刻蚀。

  4、浅接点刻蚀

  当刻蚀进入到接点层时,至关重要的是对半导体造成的等离子损伤最小,否则可能会增加接点电阻。刻蚀工艺需要仔细优化,以最大限度地提高吞吐量,同时保持器件的性能。光滑的表面通常表面高品质的刻蚀,如图2所示。

  未经优化的刻蚀处理可能导致GaN刻蚀的位错,进而导致麻点表面和接点电阻的增加。同样,PR是这一步掩膜的选择,因为它是最简单的处理方法。据报道
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