日期:2011-03-17 15:29
美国-普瑞光电( www.bridgelux.com )近日正式对外宣布其基于实验室的最新技术研发成就：每瓦135流明的基于硅衬底的氮化镓LED。GaN-on-silicon LEDs 技术一直以来被业界认为是快速降低LED生产成本的利器，过去几年也一直是很多公司主要研发的方向。普瑞光电相关负责人说，它的示范代表了行业的第一个商业硅衬底LED级芯片的性能极限。350mA的工作电流，仅为2.9伏的电压(或者3.25伏在1安培下)，规格为1.5mm*1.5mm，色温为 4730K，光效达到135lm/W。这个LED是基于一个8英寸的硅晶片。普瑞认为，低成本的硅晶片基于现代半导体制造业可以提供的