日期:2010-12-01 17:28
方法以及降低顺向电压技术等，希望将来在1mm见方芯片中电流密度为2A/mm2时的发光效率能够达到150lm/W，光通量能够达到1000lm。这就需要将内部量子效率提高到80%（目前为53%），外部量子效率提高到72%（目前为47%），荧光体的转换效率提高到252lm/Wopt（目前为228lm/Wopt）。
日本欧司朗光电半导体公司（OsramOpto Semiconductors GmbH）的MichaELSchmitt也介绍了降低衰退现象的高输出功率白色LED技术。这是一项名为“UX:3”的将n电极设在LED内部的技术。使电流在芯片内部均匀地通过，从而控制电流密度，提高效率。另外，通过取消芯片表面