日期:2010-11-24 16:04
作用，因此电子电洞对产生发光结合（radiative recombination）的机率大增，再加上透明ZnO薄膜的抗反射效果，因而大幅提升硅发光二极管的发光效率。
上述组件的室温发光频谱峰值在波长1140 nm处，能量十分接近硅的能隙，对应到声子辅助非直接载子结合（phonon-assisted indirect carrier recombination）的物理机制。研究人员也测量了注入不同直流电流时的发光功率。此组件在室温下的外部量子效率高达4.3×10-4,是以块材硅为基板时的100倍，内部量子效率推测约为10-3,突破了非直接能带半导体的限制。
值得一提的是，此组件的制程和结构与