日期:2010-11-24 16:04
用原子层沉积术（Atomic Layer Deposition,ALD）制作高质量的n型ZnO薄膜，做为透明导电层、电子注入层以及可提高光萃取率的抗反射层。ALD为先进的奈米薄膜沉积技术，能以原子级精准度控制形成薄膜的厚度及成份，还具备高均匀度、低缺陷密度、可大面积批次量产，以及沈积温度较低等优点。
电子显微镜照片清楚显示，直径约24 nm的硅奈米微晶嵌埋在厚度约9.2 nm的二氧化硅层中。电子与电洞分别由n型ZnO薄膜与p型硅基板，穿隧（tunneling）通过二氧化硅层进入硅奈米微晶。由于电子电洞对被局限在狭小的微晶内，二氧化硅对微晶表面缺陷又有修补