志圣工业针对LED产业制程设备推出“高亮度与高散热”双解决方案，其中高亮度“图案化蓝宝石基板制程”可让led再增加30％亮度，另外高散热解决方案可解决光衰效应，让LED寿命再延长4倍。
该公司介绍，在高亮度方案中志圣推出最佳的图案化蓝宝石基板制程，制程包括以蓝宝石基板作光阻与曝光显影及蚀刻等（黄光室制程＋蚀刻的制程），以蓝宝石基板尺寸主流的2寸及4寸制程设备，采用先进的干蚀刻制程设备（气态电浆反应），不会产生液态制程所产生的污染状况，蚀刻精度与世界大厂同级可达1,500 A/min，能让LED增亮30％，客户包含晶粒厂商如晶电、璨圆、泰谷、新世纪等皆可使用。
高亮度LED虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（ESD）损害和热膨胀系数（CTE）等效能瓶颈，志圣针对高散热解决方案，主要在于增加产品使用寿命与解决光衰效应，现行制作方式为Submount粘着焊球，可以使薄化的蓝宝石基板LED晶粒紧密地与Submount接合在一起，再经由打线连接到导线框以发挥最大的热传导效能，让LED的高热很快地经由此封装设计传到散热器上头。
同时，高亮度LED意谓着高输入功率会产生大量的热，志圣针对此现象开发出利用Si基材高导热特性及方便于导入WLP（Wafer Level Package）制程，以利于降低成本之Si interposer TSV整合方案，其中运用到志圣独家开发之晶圆压膜机及DRIE TSV干蚀刻机经制程整合开发出高良率之简易TSV制程，将晶粒黏着于Si Submount，可以使薄化的蓝宝石基板LED晶粒紧密地与Si Submount接合在一起以发挥最大的热传导效能降低GaN晶粒的Junction Temperature，一般而言；只要下降10度C就可以提高50％的使用寿命。
志圣提供此制程的Si interposer TSV整合方案，包括：晶圆压膜机、曝光机、ADRIE Plasma电浆蚀刻机制程设备，能让产品进入更高阶的运用与产品区隔，志圣提供的双解决方案最大优势在于能同时提供一次到位的制程设备与技术，包括“图案化蚀刻”与“提高亮度”的制程设备，并可依客户需求而调整客制化最佳操作制程，立即提升技术能力进入高阶产品市场。
志圣新技术计划在6月14日至16日的台北世贸南港展览馆展出，并同期举办“提高LED亮度及散热之技术”发表会。
