美国新墨西哥州Los Alamos和Sandia实验室的科学家制造出第一个全无机纳米晶体结构LED。 这个器件将硒化镉（CdSe）纳米晶体与氮化镓（GaN）基光发射区域结合在一起，利用磷将蓝光发射转化为黄光，避免了现在大多数LED效率低的问题。
半导体纳米晶体能提供高量子效率，但是，这项LED技术被一个问题所困扰，那就是无法对纳米晶体进行直接电气连接。解决方法就是将量子点夹在GaN注入层之间，这项计划的领导者Victor Klimov解释道。美国科学家的方法是采用内部层引脚结构，即用一个硒化镉的芯层和一个硫化锌的包层围住纳米晶体。 研究者们生产了很多LED，包括573nm和619nm的发射器，其纳米晶体核的直径为3.6nm和5.2nm。